Laporan Akhir Modul 2 Transistor Self Bias



1. Jurnal[Kembali]



2. Prinsip Kerja[Kembali]

Dari tegangan masukan Vcc sebesar 12 V, arus mengalir ke arah yang berlawanan melalui dua resistor, yaitu resistor kolektor (RC)= 0,982k ohm dan resistor basis (RB) = 9,91k ohm. Arus ini menghasilkan arus basis (Ib) = 0,6mA dan arus kolektor (Ic) = 0,98mA, yang mengalir melalui transistor. Ib mengalir melalui kaki basis, sementara Ic mengalir melalui kaki kolektor, lalu keduanya keluar melalui kaki emitter dan resistor emitter (RE) dengan nilai 0,464k ohm sebelum mencapai ground.

Arus basis-ke-emitter menciptakan tegangan VBE = 1,368V, sedangkan arus kolektor-ke-emitter menghasilkan tegangan VCE = 2,140V. Arus yang melewati resistor RB menghasilkan tegangan VRB = 7,26V, dan arus yang melewati resistor RC menciptakan tegangan VRC = 6,47V. Selain itu, arus yang keluar melalui kaki emitter dan resistor emitter (RE) menghasilkan tegangan VRE = 3,4V saat diukur.



3. Video Percobaan[Kembali]







4. Analisa[Kembali]


Nilai titik Kerjanya ada terletak pada Vre dan Ic.

Nilai-nilai yang mempengaruhi perubahan titik kerja (Q Point):

-Nilai Resistor Emitter (RE) adalah faktor utama yang memengaruhi titik kerja dalam self bias. Semakin besar RE, semakin besar tegangan emitter (Ve), yang akan memengaruhi arus basis (Ib) dan arus kolektor (Ic). Variasi nilai RE dapat menggeser posisi Q Point pada karakteristik transistor.

-Besarnya resistor kolektor (RC) juga memengaruhi arus kolektor (Ic) dan tegangan kolektor-emitor (Vce). Semakin besar RC, semakin kecil Ic, dan Vce cenderung meningkat. Perubahan nilai RC juga dapat memengaruhi Q Point.

-Tegangan sumber (Vcc) akan memengaruhi tingkat potensial tegangan kolektor-emitor (Vce) yang tersedia saat transistor beroperasi. Peningkatan Vcc akan mengubah karakteristik operasi transistor dan Q Point.


5. Video Penjelasan[Kembali]



6. Download File[Kembali]

Download File: Klik Disini







Tidak ada komentar:

Posting Komentar